據tomshardware報道，傳英特爾已完成其英特爾18A（1.8納米級）和英特爾20A（2納米級）制造工藝的開發，這些工藝將用于制造公司自己的產品，以及為其英特爾代工服務(IFS)部門的客戶生產的芯片。
英特爾中國總裁兼董事長王銳在一次活動中表示，公司已經完成了英特爾18A（18納米級）和英特爾20A（20納米級）制造工藝的開發。
這并不意味著生產節點已準備好用于商業制造，而是英特爾已經確定了這兩種技術的所有規格、材料、要求和性能目標。
英特爾的20A制造技術將依賴環柵RibbonFET晶體管，并將使用背面供電?？s小金屬間距、引入全新的晶體管結構并同時增加背面供電是一個冒險的舉動，
但預計20A將使英特爾超越公司的競爭對手——臺積電和三星代工廠。英特爾計劃在2024年上半年開始使用該節點。
圖源：英特爾
英特爾的18A制造工藝將進一步完善公司的RibbonFET和PowerVia技術，并縮小晶體管尺寸。該節點的開發顯然進展順利，以至于英特爾將其推出時間從2025年提前到2024年下半年。
英特爾最初計劃為其1.8納米級節點使用具有0.55數值孔徑(NA)光學器件的ASML Twinscan EXE設備，但由于它決定盡快開始使用該技術，將不得不依賴于大量使用具有0.33 NA光學器件的現有Twinscan NXE，
以及EUV雙圖案化。
該公司本身預計其1.8納米級制造技術將在2024年下半年進入大批量制造(HVM)時成為業界最先進的節點。
英特爾的20A和18A制造技術正在為公司自己的產品以及IFS為其代工客戶生產的芯片而開發。
英特爾首席執行官Pat Gelsinger在最近與分析師和投資者舉行的電話會議上表示：“我們與10大代工客戶中的7家有積極的合作渠道，并且渠道持續增長，包括43家潛在客戶和生態系統合作伙伴測試芯片。
”“此外，我們繼續在Intel 18A上取得進展，并且已經與我們的主要客戶分享了PDK 0.5（工藝設計套件）的工程版本，并預計在未來幾周內發布最終產品。
